К своему квартальному отчёту подошла компания Intel. О работе компании в первом квартале 2018 года мы поговорим в другой заметке, а в этой уделим внимание главному заявлению главы корпорации Брайана Кржанича, которое он сделал в ходе своего доклада. Исполнительный директор Intel сообщил, что массовое производство с нормами 10 нм компания вынуждена перенести на неопределённый срок до следующего года. Ранее в Intel неоднократно обещали, что массовое производство процессоров с нормами 10 нм стартует во второй половине 2018 года.

По словам Кржанича, уровень брака при выпуске 10-нм решений остаётся недопустимо высоким, хотя в Intel разобрались с источником проблем и в течение года его устранят. В ограниченных объёмах 10-нм процессоры для сверхтонких и трансформируемых ноутбуков компания выпускает с конца прошлого года и продолжит ограниченный выпуск этих решений в дальнейшем.

Проблем с производством 10-нм полупроводников можно было бы избежать, если бы Intel увеличивала плотность размещения элементов вровень с индустрией — на уровне 1,5-2 кратного роста плотности размещения элементов на кристаллах по сравнению с предыдущим техпроцессом. Но в компании захотели большего. Рост плотности при переходе с 14 нм на 10 нм установили на уроне 2,7 крат (при переходе с 22 нм на 14 нм компания увеличила плотность в 2,4 раза и тоже столкнулась с высоким уровнем брака). Кусок оказался больше, чем Intel смогла проглотить.

Уточним, для выпуска 10-нм продукции компания использует иммерсионную литографию и 193-нм сканеры. Использование EUV-сканеров Intel начнёт при выпуске 7-нм продукции. Из этого следует, что в случае 10-нм техпроцесса компания использует от четырёх до пяти фотошаблонов на изготовление одного слоя кристалла. Возможно, что для снижения брака компании придётся увеличивать число слоёв, изготовленных с использованием пяти фотошаблонов.